SIPM Jagħmel Progress fil-Modifikazzjoni tal-Laser Femtosecond tal-wiċċ tal-karbur tas-silikon biex ittejjeb ir-riċerka dwar l-effiċjenza tal-illustrar

Riċentement, it-tim ta 'Wei Chaoyang fil-Laboratorju taċ-Ċentru tal-Manifattura u l-Ittestjar tal-Ottiċi ta' Preċiżjoni tal-Istitut ta 'Shanghai tal-Makkinarju ta' Preċiżjoni Ottika, Akkademja tax-Xjenzi Ċiniża, għamel progress fl-istudju tal-modifika tal-laser femtosecond tal-uċuħ tal-karbur tas-silikon biex ittejjeb l-effiċjenza tal-illustrar. Instab li l-modifika tal-wiċċ ta 'RB-SiC miksija minn qabel bi trab Si bil-laser femtosecond tista' tikseb saff ta 'modifika tal-wiċċ b'saħħa ta' twaħħil ta '55.46 N. Is-saff ta' modifika tal-wiċċ jista 'jiġi modifikat ukoll bil-laser femtosecond biex ittejjeb l-effiċjenza tal-illustrar . Il-wiċċ RB-SiC modifikat jista 'jiġi illustrat għal 4.5 sigħat biss biex jinkiseb wiċċ ottiku b'ħruxija tal-wiċċ Sq ta' 4.45 nm, li hija aktar minn tliet darbiet aktar effiċjenti mill-illustrar dirett. Ir-riżultati jestendu l-metodu ta 'modifika tal-wiċċ ta' RB-SiC, u l-kontrollabbiltà tal-laser u s-sempliċità tal-metodu jagħmluha possibbli li tintuża għall-modifika tal-wiċċ ta 'RB-SiC b'kontorni kumplessi. Ir-riżultati relatati ġew ippubblikati f'Applied Surface Science.

RB-SiC, bħala ċeramika tal-karbur tas-silikon bi proprjetajiet eċċellenti, saret waħda mill-aktar materjali eċċellenti u fattibbli għal komponenti ottiċi tat-teleskopju ħfief u kbar, speċjalment għal mirja ta 'daqs kbir u b'forma kumplessa. Madankollu, RB-SiC, bħala materjal tipiku ta 'ebusija għolja, fażi kumplessa, għandu 15%-30% silikon residwu li jibqa' fil-vojt meta l-likwidu Si jirreaġixxi kimikament ma 'C matul il-proċess ta' sinterizzazzjoni. U d-differenza fil-proprjetajiet tal-illustrar ta 'dawn iż-żewġ materjali se jiffurmaw mikro-passi fil-junction tal-fażi SiC u l-komponenti tal-fażi Si matul il-proċess tal-illustrar ta' preċiżjoni tal-wiċċ, li huwa suxxettibbli għal diffrazzjoni, u ma jwassalx biex jinkisbu uċuħ illustrati ta 'kwalità għolja , u toħloq sfida kbira għall-illustrar sussegwenti.

Biex tindirizza l-problemi ta 'hawn fuq, l-istudju jipproponi metodu ta' pretrattament tal-modifika tal-wiċċ tal-laser femtosecond, li juża laser femtosecond biex jimmodifika l-wiċċ RB-SiC miksi minn qabel bi trab tas-silikon, li mhux biss issolvi l-problema tat-tifrix tal-wiċċ minħabba d-differenza fil- il-prestazzjoni tal-illustrar taż-żewġ fażijiet, iżda wkoll tnaqqas b'mod effettiv id-diffikultà tal-illustrar u ttejjeb l-effiċjenza tal-illustrar tas-sottostrat RB-SiC. Ir-riżultati juru li t-trab Si miksi minn qabel fuq il-wiċċ RB-SiC huwa ossidizzat taħt l-azzjoni tal-laser femtosecond, u bl-ossidazzjoni gradwalment tippenetra aktar fil-fond fl-interface, is-saff modifikat jifforma rabta mas-sottostrat RB-SiC. Bl-ottimizzazzjoni tal-parametri tal-iskannjar tal-lejżer biex taġġusta l-fond tal-ossidazzjoni, inkiseb saff modifikat ta 'kwalità għolja b'saħħa ta' rabta ta '55.46 N. Is-saff modifikat huwa aktar faċli biex jillustraw meta mqabbel mas-sottostrat RB-SiC, li jippermetti li l-ħruxija tal-wiċċ tal-RB-SiC ittrattat minn qabel titnaqqas għal Sq 4.5 nm fi ftit sigħat biss ta 'lostru, li hija aktar minn tliet darbiet aktar effiċjenti meta mqabbla ma' l-illustrar li joborxu tas-sottostrat RB-SiC. Barra minn hekk, it-tħaddim sempliċi tal-metodu u r-rekwiżiti baxxi fuq il-profil tal-wiċċ tas-sottostrat RB-SiC jistgħu jiġu applikati għal uċuħ RB-SiC aktar kumplessi u jtejbu b'mod sinifikanti l-effiċjenza tal-illustrar.